原理解讀
圖1是電動(dòng)車(chē)電機驅動(dòng)器的EMI問(wèn)題的基本原理圖。
圖1 電動(dòng)車(chē)電機驅動(dòng)器的EMI問(wèn)題基本原理圖
按圖1所示,電機驅動(dòng)器的EMI共模電流主要有兩種,即圖中的ICOM1和ICOM2。
共模電流ICOM1是因為動(dòng)力電機的驅動(dòng)信號電纜線(xiàn)與參考接地板之間的寄生電容CP2,導致UVW信號通過(guò)該寄生電容傳遞至參考接地板,再由產(chǎn)品中所有與參考接地板之間的回路,包括EMI測試時(shí)高壓直流線(xiàn)與參考接地板之間所連接的LISN裝置,終回到驅動(dòng)電機UVW信號的功率地。
共模電流ICOM2是因為動(dòng)力電機的驅動(dòng)信號線(xiàn)在殼體內部與殼體之間的寄生電容CP1,導致UVW信號通過(guò)該寄生電容傳遞殼體,并從殼體與參考接地板之間的接地線(xiàn),傳遞至參考接地板,再由產(chǎn)品中所有與參考接地板之間的回路,包括EMI測試時(shí)高壓直流線(xiàn)與參考接地板之間的LISN,終回到驅動(dòng)電機UVW信號的功率地。
按以上分析,CP1和CP2的大小對流過(guò)LISN和高壓線(xiàn)束的共模電流大小影響很大,而流過(guò)LISN的共模電流就是傳導騷擾,流過(guò)高壓線(xiàn)束的共模電流就是輻射騷擾(高壓線(xiàn)束猶如等效發(fā)射天線(xiàn))??梢?jiàn),降低寄生電容CP1和CP2的值是降低傳導騷擾和輻射騷擾的重要措施。
就寄生電容CP1來(lái)說(shuō),其大小與UVW信號所在導體的面積、UVW信號與機殼之間的距離有關(guān)。
理論計算公式是:Cp ≈ 0.1 × S / H
其中:
Cp:寄生電容[pF]
S:信號導體的等效面積[cm2]
H:高度[cm]
為了減小CP1,以下結論是顯而易見(jiàn)的:
1、UVW的導體長(cháng)度要短;
2、UVW的導體寬度要窄;
3、UVW信號的導體與殼體之間應該有功率地的地平面
然而為什么UVW信號的導體與殼體之間應該有功率地的地平面呢?請看圖2。圖2是表達UVW信號與參考接地板之間的分布電容的原理圖,圖中UVW信號導體與參考接地板之間無(wú)其它導體,即形成較大的寄生電容。
圖2 UVW信號與參考接地板之間的分布電容
當UVW信號導體下方存在地平面時(shí),UVW信號導體與參考接地板之間的寄生電容如圖3所示。
圖3 鋪設地平面后的寄生電容
圖3中可以看出,因為地平面“隔離”了分布在UVW信號導體與參考接地板之間的電場(chǎng),所以UVW信號導體與參考接地板之間寄生電容也減少(電容的定義是單位電壓下的電荷儲存量)。
高dv/dt的導體或器件與參考接地板之間的容性耦合,是產(chǎn)生EMI問(wèn)題的重要因素,也是EMC風(fēng)險評估技術(shù)中風(fēng)險要素之一;
產(chǎn)品設計是一定要保證高dV/dt的信號導體(如UVW信號、時(shí)鐘信號)面積小。在電動(dòng)車(chē)電機驅動(dòng)器中,實(shí)際上是要求:
1)IGBT安裝在UVW信號在機箱的出口處,便于保證長(cháng)度短;
2)銅排的寬度在滿(mǎn)足通流量的情況下保持小。
高dv/dt的信號導體(如UVW信號、時(shí)鐘信號等)的下方存在地平面(若是PCB,則鋪設地平面;若采用銅排,則用疊層母排)。像電機驅動(dòng)器,其UVW信號還會(huì )以電纜的形式延伸至殼體之外,這時(shí)降低寄生電容的方法就對電纜進(jìn)行屏蔽處理;
當高dv/dt的信號導體在PCB中布置時(shí),印制線(xiàn)或器件杜絕放置在PCB板的邊緣。如果設計中由于其它原因一定要布置在PCB板邊緣,那么可以在印制線(xiàn)邊上再布一根工作地(GND)線(xiàn),并通過(guò)過(guò)孔將此工作地(GND)線(xiàn)與工作地(GND)平面相連;
消除一種誤解:不要認為輻射是UVW信號導體直接造成的,事實(shí)上UVW信號導體個(gè)體較小,它直接影響的是近場(chǎng)輻射(表現為UVW信號導體與其它導體(如參考接地板)之間形成的寄生電容),造成遠場(chǎng)輻射的直接因素是電纜或產(chǎn)品中大尺寸與輻射頻率波長(cháng)可以比擬的導體。
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