國際電工委員會(huì ) (IEC) 發(fā)布的關(guān)于變速驅動(dòng)系統的相應終端設備標準包括針對 EMC 和 EMI 的 IEC 61800-3 以及針對系統安全要求 (包括隔離) 的 IEC 61800-5-1。IEC 61800-3 標準中指()定的 EMC 和 EMI 要求取決于變頻器所屬的類(lèi)別。 類(lèi)別范圍從C1到C4,且規定了變頻器的最高額定電壓和可以安裝使用的環(huán)境。 變頻器的最高額定電壓可以小于1000V,也可以大于1000V。分以下兩種環(huán)境:
第一種環(huán)境是指在由公共電網(wǎng)供電的房屋或辦公樓等住宅樓宇中使用變頻器。 而第二個(gè)環(huán)境是指在由專(zhuān)用變壓器供電的工業(yè)區域中使用的要求,該變壓器提供 480V、560V 或 690VAC 等三相電壓。 在這篇博文中,我將重點(diǎn)介紹第 2 類(lèi) (C2) 和第 3 類(lèi) (C3),并指導您觀(guān)看相應的培訓視頻系列。
C2類(lèi)變頻器的額定電壓在1000V以下,適合在第一類(lèi)環(huán)境中使用,但不能插拔,也不能由專(zhuān)業(yè)人員移動(dòng)和安裝。 C3類(lèi) 變頻器的額定電壓也低于 1000V,但僅限于在第二類(lèi)環(huán)境中使用。
半導體在器件級別也有自己特定的 EMC 要求和隔離等級。 表 1 中顯示了一些示例。
參數 | 標準 |
EMC抗擾度 (比如靜電放電ESD) | 人體模型 (HBM) 充電設備模型 (CDM) IEC 61000-4-2 |
光型隔離 | IEC 60747-5-5 (VDE* 0884-5-5) |
增強型電容型或者磁型隔離 | VDE 0884-10/VDE 0884-11 (新標準是IEC 60747-17) |
*Verband der Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik e.V (VDE 德語(yǔ)縮寫(xiě)) |
表1 半導體器件級別標準
工業(yè)變頻器是如何對應EMC 抗擾度、EMI 和隔離要求的?相應的測試是什么樣的?圖 1 顯示了一個(gè)工業(yè)變頻器的簡(jiǎn)化架構,它被劃分為各種子系統,并在機柜外提供可訪(fǎng)問(wèn)的接口和連接器。浪涌 (Surge) ,電快速瞬變 (EFT) 或者靜電放電 (ESD) 等 EMC 抗擾度測試干擾信號施加于每個(gè)子系統的接口連接器。 具有可訪(fǎng)問(wèn)接口或連接器的典型子系統包括通信接口,用戶(hù)輸入和輸出 (I/O) 接口,位置反饋接口,動(dòng)力線(xiàn)接口和交流電源輸入。
圖1. 工業(yè)變頻器EMC 抗擾度測試信號示例
EMC 抗擾度
讓我們看看 EMC 抗擾度要求和測試方法。 IEC 61800-3 規定了干擾電壓等級和測試通過(guò)判據等 EMC 抗擾度要求,并參考了 IEC 61000-4-x 標準,該標準描述了 ESD、EFT 和Surge的測試方法和測試平臺搭建。 第二種環(huán)境的 EMC 抗擾度要求較高,而第一種環(huán)境的 EMC 抗擾度要求較低。 因此,我們關(guān)注第二環(huán)境。 圖 2 顯示了針對第二種環(huán)境的 IEC 61800-3 EMC 抗擾度要求的摘錄。
圖2. 第二種環(huán)境中IEC 61800-3 的EMC抗擾度要求
每個(gè)端口都需要通過(guò)特定的過(guò)電壓干擾,如 IEC 61000-4-4 標準中針對 +/- 2kV 電壓等級的快速瞬變脈沖群 (EFT) 所規定的。
我們如何驗證變頻器是否通過(guò)了測試? 因此,如圖 2 所示的性能驗收標準是驗證終端設備相關(guān) EMC 測試的一個(gè)非常重要的依據。
判據A 規定在 EMC 測試期間或之后不得影響變頻器正常工作性能。
判據B 規定臨時(shí)性能下降僅在 EMC 測試期間是可接受的。在EMC 測試之后,變頻器必須在沒(méi)有任何人工干預的情況下恢復并以正常工作性能運行。
判據C規定在測試期間暫時(shí)的功能或性能損失是可以接受的,并允許手動(dòng)干預,如重新上下電或硬件復位重置來(lái)恢復正常運行狀態(tài)。
與通常根據判據C 進(jìn)行驗證的大多數半導體不同,終端設備必須至少滿(mǎn)足判據 B 或 A,其中 A 規定了系統即使在 EMC 測試期間也必須保持指()定的性能。對于許多供應商而言,IEC61000-4-4 定義的快速瞬變脈沖群 (EFT) 抗擾度實(shí)驗是證明工業(yè)變頻器穩健性的最重要的 EMC 抗擾度測試。這是因為通過(guò)逆變器 PWM 開(kāi)關(guān)電壓耦合到電纜或印刷電路板的脈沖噪聲對變頻器性能的影響與快速瞬變脈沖群 (EFT) 相似。
您如何設計符合 EMC 標準的子系統? TI 工業(yè)變頻器參考設計旨在滿(mǎn)足工業(yè)變頻器的 EMC 抗擾度要求。 例如,絕對式編碼器的通用數字接口參考設計為四線(xiàn)和兩線(xiàn)編碼器設計了符合 EMC 標準的 RS-485 接口。 該參考設計符合 IEC 61800-3 要求,通過(guò)了比標準定義高出兩倍的所需測試電壓。
EMI 電磁發(fā)射
IEC 618000-3 還規定了變頻器的電磁對外發(fā)射要求,并參考標準 CISPR 11 A 類(lèi)和等效的歐洲標準 EN 55011 A 類(lèi)標準進(jìn)行特定測試平臺搭建。 CISPR 是 Comité International Spécial des Perturbations Radioélectriques 的簡(jiǎn)稱(chēng)。 輻射發(fā)射是在 30MHz 至 1GHz 的頻帶內測量的。 對于屬于 IEC61000-3 類(lèi)別 2 或 3 的工業(yè)設備,需要滿(mǎn)足準峰值限值以分貝(微伏每米)為單位的電場(chǎng)強度,如表 3 所示。
測試頻率 MHz | 2類(lèi)設備在10米測試條件下的準峰值限值電場(chǎng)強度 dB (µV/m) |
30 ≤ f ≤ 230 | 40 |
230 ≤ f ≤ 1000 | 47 |
表3. 30MHz到1000MHz頻帶下的輻射發(fā)射限值 (參考 IEC-61800-3, Table 15)
符合 EMI/EMC 標準的工業(yè)溫度雙網(wǎng)口千兆以太網(wǎng) PHY 參考設計,這個(gè)設計是通過(guò) IEC 61800-3 EMC 抗擾度要求并低于 EN 55011/CISPR 11 A 類(lèi)輻射發(fā)射限值要求 4.3dB 的一個(gè)很好的例子。
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